合成・材料 総説

【総説】ロバストな高移動度ｎ型有機半導体材料の開発

本記事は、和光純薬時報　Vol.88 No.3（2020年7月号）において、¹ 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻・² JST さきがけ　岡本　敏宏様^{1, 2} 、熊谷　翔平様¹に執筆いただいたものです。

情報化社会の発達が急速に進む現代において、スマートフォンやパソコンなどの電子機器・情報端末は私たちの日常生活において欠かすことのできないものとなっている。このような機器には現在シリコンを主とした無機半導体デバイスが利用されているが、重い、硬い、またデバイス作製に 300−1000 ℃の高温が必要など、多用途性や環境負荷などの面から改善が望まれる。そこで近年では、有機半導体を用いたデバイス（有機半導...

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合成・材料 総説

【総説】有機トランジスタの評価法

本記事は、東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻　工学部応用化学科　岡本　敏宏准教授に執筆いただいたものです。

これまでの精力的な研究により、有機半導体材料の性能指標であるキャリア移動度(以下、移動度と略す)は、現在実用的に用いられているアモルファスシリコンを超え、10 cm2/Vs以上の移動度が報告されるまでになっている1-3）。この移動度の向上により、実デバイスにおける重要な基本素子である有機電界効果トランジスタ(Organic Field-Effect Transistor, OFET)を用いたディス...

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合成・材料 総説

【総説】高分子系半導体−ｎ型

本記事は、東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻　工学部応用化学科　岡本　敏宏准教授に執筆いただいたものです。

高分子系n型半導体材料は、低分子系と同様に、p型半導体材料と比較して、開発が遅れている。高分子系n型半導体として図1aに示したCN-PPVは古くから知られている1）。21世紀に入り、高分子系p型有機半導体と同様、n型半導体も研究が活発になったが、p型に比べて、移動度は一桁以上低い値であった。 2003年にJenekheらによって開発されたはしご型（ラダー型）高分子のpoly(benzimidazo...

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合成・材料 総説

【総説】高分子系半導体−ｐ型

本記事は、東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻　工学部応用化学科　岡本　敏宏准教授に執筆いただいたものです。

高分子半導体材料を用いた研究は、1990年代後半に報告されたpoly(3-alkylthiophene)(ポリ(3-アルキルチオフェン), P3RT）（図1a）が有機電解効果トランジスタ（OFET）で0.1 cm2/Vsの正孔移動度を示したところからスタートしている。X線を用いた構造解析の結果、P3RTは高分子鎖が基板に対して立ったラメラ構造(Edge-on配向)を形成し、基板に対して電荷輸送にか...

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合成・材料 総説

【総説】光塩基発生剤を用いた UV アニオン硬化

本記事は、和光純薬時報　Vol.88 No.1（2020年1月号）において、富士フイルム和光純薬株式会社　機能性材料研究所 酒井　信彦が執筆したものです。

光開始剤は、光照射によってさまざまな活性種が発生する化合物群の総称であり、塗料、インキ、接着剤、フォトレジストなど、さまざまな分野で活用されている。光開始剤は発生する活性種によって、①光ラジカル発生剤、②光酸発生剤、③光塩基発生剤（本稿では Photo Base Generator、以下 PBGと省略）に大別される。これらの活性種を用いた UV 硬化のうち、UV ラジカル硬化と UV カチオン硬化...

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