p型有機半導体

有機電界効果トランジスタ(OFET)は、機械的に柔軟かつ軽量な材料として注目されています。特に低コスト・低環境負荷の塗布プロセスによって作製可能な有機半導体材料を活性層に用いているプリンテッド・フレキシブルデバイスは次世代エレクトロニクスとして応用が期待されています。

この度、高いホール移動度を有し、溶解性の高いp型半導体材料のラインアップを追加しました。本製品は東京大学 竹谷教授、岡本准教授と富士フイルム株式会社の共同研究によって開発された新規材料です。

特長

  • 高いホール移動度
    5 cm2/Vsを超えるホール移動度
  • 高耐熱性
    OSCパターニングに必要な温度履歴を経ても特性が劣化しない
  • 高溶解性
    トルエン溶解度:0.5 wt%
  • 高い再現性
    パイクリスタル社によるトランジスタ特性評価で良好な再現性を確認
  • 昇華精製品
    純度99 %以上を保証

TBBTの各種トランジスタの素子特性のまとめ

  • 製膜法 基板温度(℃) µmax
    (cm2/Vs)a
    Vth (V)b Ion/ Ioff
    ドロップキャスト法 40 4.0 -21 - -37 106
    エッジキャスト法 40 6.2 -15 - -20 106
    真空蒸着 60 1.8 -15 - -20 106
    100 1.0 -15 - -20 106

    a)飽和領域で評価、b)ゲート絶縁膜は 200 nm 厚の SiO2

エッジキャスト法による結晶膜作製・トランジスタ特性評価

TBBT-C4


  • 塗布膜作成条件
    溶媒 トルエン
    濃度 0.05 wt%
    溶かした温度 60 ℃
    Hot plate 温度 50 ℃
    基板 SiO2 200 nm
    SAM β-PTS
    滴下量 1 滴
    乾燥 減圧下 50 ℃, 8 h

  • Vth:-27 V
    Mobility:6.5 cm2/Vs

TBBT-C10


  • 塗布膜作成条件
    溶媒 アニソール
    濃度 0.05 wt%
    溶かした温度 70 ℃
    Hot plate 温度 40 ℃
    基板 SiO2 200 nm
    SAM β-PTS
    滴下量 1 滴
    乾燥 減圧下 70 ℃, 24 h

  • Vth:-27 V
    Mobility:6.5 cm2/Vs

参考文献
  1. Okamoto, T. and Takeya, J. et al.: Adv. Mater., 25, 6392 (2013).
  2. Okamoto, T. et al.: J. Mater. Chem. C, 5, 1903 (2017).
  3. 岡本敏宏:和光純薬時報, 86, 10 (2018).

製品一覧

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