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Graphene oxide (0.8-1.2nm thick x 1-15 microns wide, made by the Staudenmaier Method)
Graphene oxide (0.8-1.2nm thick x 1-15 microns wide, made by the Staudenmaier Method)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
Monolayer Graphene on Cu (60 mm x 40 mm)
Monolayer Graphene on Cu (60 mm x 40 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 適用法令 :
-
- 労・表
- 労・S
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1pc
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Monolayer Graphene on Cu with PMMA coating (60mm x 40mm)
Monolayer Graphene on Cu with PMMA coating (60mm x 40mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 適用法令 :
-
- 労・表
- 労・S
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1pc
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Monolayer Graphene on SiO2/Si (10mm x 10mm)
Monolayer Graphene on SiO2/Si (10mm x 10mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
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製品コード
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4pcs
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Graphene oxide (4mg/ml water dispersion)
Graphene oxide (4mg/ml water dispersion)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Graphene oxide, reduced
Graphene oxide, reduced
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (25x25 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (25x25 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (50x50 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (50x50 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on GLASS (10x10 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on GLASS (10x10 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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1pc
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Graphene oxide (4mg/ml water dispersion) - low Mn.
Graphene oxide (4mg/ml water dispersion) - low Mn.
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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1EA
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Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Quadrant pattern
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Quadrant pattern
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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1EA
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グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積750m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 750m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積300m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 300m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積500m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 500m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Graphene nanoplatelets, (2-10nm thick x 〜5 microns wide)
Graphene nanoplatelets, (2-10nm thick x 〜5 microns wide)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Graphene film, monolayer, on Si/SiO2 wafer (1cm x1cm), by CVD
Graphene film, monolayer, on Si/SiO2 wafer (1cm x1cm), by CVD
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
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製品コード
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (10x10 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (10x10 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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1pc
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Graphene powder (1-5 layers thick x 0.5-5 microns wide, surface area 650-750 m2/g)
Graphene powder (1-5 layers thick x 0.5-5 microns wide, surface area 650-750 m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
グラフェン,微小板(厚さ6-8nmx幅5μm)
Graphene nanoplatelets (6-8 nm thick x 5 microns wide)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
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製品コード
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25g
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販売終了
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100g
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販売終了
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1-20 / 22件
Graphene oxide (0.8-1.2nm thick x 1-15 microns wide, made by the Staudenmaier Method)
Graphene oxide (0.8-1.2nm thick x 1-15 microns wide, made by the Staudenmaier Method)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
Monolayer Graphene on Cu (60 mm x 40 mm)
Monolayer Graphene on Cu (60 mm x 40 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 適用法令 :
-
- 労・表
- 労・S
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製品コード
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容量
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在庫
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1pc
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Monolayer Graphene on Cu with PMMA coating (60mm x 40mm)
Monolayer Graphene on Cu with PMMA coating (60mm x 40mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 適用法令 :
-
- 労・表
- 労・S
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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1pc
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Monolayer Graphene on SiO2/Si (10mm x 10mm)
Monolayer Graphene on SiO2/Si (10mm x 10mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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|---|---|---|---|---|
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4pcs
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Graphene oxide (4mg/ml water dispersion)
Graphene oxide (4mg/ml water dispersion)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Graphene oxide, reduced
Graphene oxide, reduced
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (25x25 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (25x25 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (50x50 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (50x50 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on GLASS (10x10 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on GLASS (10x10 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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|---|---|---|---|---|
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1pc
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Graphene oxide (4mg/ml water dispersion) - low Mn.
Graphene oxide (4mg/ml water dispersion) - low Mn.
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Grid pattern
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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1EA
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Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Quadrant pattern
Graphene Field-Effect Transistor (GFET) Chip - Quadrant pattern
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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1EA
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グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積750m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 750m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 分子式 :
- C
グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積300m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 300m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 分子式 :
- C
グラフェン、積層微小板(サブミクロン片、比表面積500m2/g)
Graphene nanoplatelets aggregates (sub-micron particles, surface area 500m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 分子式 :
- C
Graphene nanoplatelets, (2-10nm thick x 〜5 microns wide)
Graphene nanoplatelets, (2-10nm thick x 〜5 microns wide)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
Graphene film, monolayer, on Si/SiO2 wafer (1cm x1cm), by CVD
Graphene film, monolayer, on Si/SiO2 wafer (1cm x1cm), by CVD
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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|---|---|---|---|---|
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1pc
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Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (10x10 mm)
Monolayer High Strength Metallurgical Graphene, HSMG®, on PMMA (10x10 mm)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- GHS :
-
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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|---|---|---|---|---|
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1pc
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Graphene powder (1-5 layers thick x 0.5-5 microns wide, surface area 650-750 m2/g)
Graphene powder (1-5 layers thick x 0.5-5 microns wide, surface area 650-750 m2/g)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
グラフェン,微小板(厚さ6-8nmx幅5μm)
Graphene nanoplatelets (6-8 nm thick x 5 microns wide)
- 製造元 :
- Strem Chemicals, Inc.
- 保存条件 :
- 室温
- CAS RN® :
- 1034343-98-0
- 分子式 :
- C
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製品コード
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容量
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価格
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在庫
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25g
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販売終了
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100g
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販売終了
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軽微な仕様変更などにより製品内容と実際のイメージが異なる場合があります。